解決經濟危機的方法范文
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第1篇
一：自然電位的成因
在鉆井剖面上煤巖層形成的自然電位場，是由煤巖層和井液間的電化學作用產生的。按其成因可分為兩大類：一是由電子導電性礦層和井液形成的氧化還原電位。免費論文參考網。這種氧化還原電位多發生在高階質煤層上。另一類是由井液和孔隙性煤巖層形成的離子性的擴散吸附電位、過濾電位。
1：氧化還原電位形成機理
氧化還原電位是由礦層和井液的氧化還原反應形成的。當礦層在井液中處于氧化環境中，礦層中的物質成份由于被氧化而失去電子帶正電，井液物質成分由于獲得電子帶負電。這樣在礦層和井液的界面處當氧化環境達到平衡時就形成電位差。這時我們就可以測量到該礦層的自然電位的負異常。
當礦層在井液中處于還原環境時，礦層中的物質成份由于被還原而得到電子帶負電，井液物質成份由于失去電子帶正電，這樣也在礦層和井液的界面處當還原環境達到平衡時就形成電位差。這時就可以測量到該礦層的自然電位的正異常。
2：擴散吸附電位形成機理
擴散吸附電位一般形成于孔隙性地層和含水層中。是由于井液離子向地層滲透過程中，在井液和地層的界面處的離子濃度差形成的，與煤巖層的孔隙度大小有關。也與井液的礦化度有關。
一般負離子的移動速度大于正離子的移動速度。當地層水的礦化度Cw大于井液的礦化度Cf時，地層水中的負離子向井液中擴散，擴散達到平衡時，地層水中就有較多的正離子而帶正電，井液中就有較多的負離子而帶負電。在井液和地層之間就形成電位差。這種電動勢主要取決于兩種溶液的活度（礦化度）比值。并與溶液的溫度和離子成份有關。該電動勢的大小可表示如下：
E=K*Log (Cw/Cf)
式中 k 為擴散電動系數，單位 毫伏，Cw 為地層水的電化學活度， Cf 為井液泥漿的電化學活度。
二：自然電位測井的干擾因素及解決辦法
目前，自然電位測井大多采用井下M電極，地面N電極的測量方式。免費論文參考網。而且測井時大多和電阻率測井共用M電極。所以自然電位測井的影響因素較多。
1：電極極化電位的影響及解決辦法
測井時，測量電極M和地面電極N同時存在著和泥漿井液間的電極極化電位，這種電極極化電位主要取決于電極采用金屬材料的電化學活性，活潑金屬的電極電位大且不穩定，不活潑金屬的電極電位小且穩定。所以測井電極一般采用不活潑的金屬材料制作。電極電位的存在使得自然電位測井時曲線產生漂移現象。同時電極表面經長期使用產生凸凹銹蝕，使得和井液接觸時產生較大的電極極化電位，同樣使自然電位曲線產生漂移。
解決辦法一般采用不活潑的金屬鉛做視電阻率測井和自然電位測井的供電及測量主電極。而且在測井前使 M , N 電極表面光滑、干凈。可以減少這類干擾因素的影響。
2：電阻率測井漏電干擾及解決辦法
目前煤田測井中，普遍采用視電阻率和自然電位共用測量電極M同時測量的方式，有時產生測得的自然電位曲線和視電阻率曲線倒形相似現象。在實際工作中經多方面分析研究認為：視電阻率測量地面供電B電極和電阻率與自然電位測量共用地面N電極之間距離有關，同時也與井液泥漿的礦化度有關。供電B電極一般放在井口，N電極一般在泥漿池。二者距離短時有時就會產生這種現象。分析其原因是B電極和N電極之間的接地電阻大小有關。
在實際測井工作中經多次驗證。將視電阻率測井和自然電位測井時共用的地面N電極改用電纜鎧皮作N電極可以消除這一現象。或將地面B、N電極距離加長至消除這一現象。免費論文參考網。
三：總結及建議
自然電位測井的影響因素較多，如工業雜散電流的影響、絞車滑環接觸電阻的影響、儀器面板插座接觸不良的影響等。希望我們今后在實際測井工作中及時發現問題及時解決。另外希望儀器制造廠家最好將測量電路做在探管中，以數字脈沖碼的方式向地面儀器傳送測量信號，這樣可以減少很多干擾因素的影響。
參看文獻：
(1)：李舟波孟令順 梅忠武編著，資源綜合地球物理勘查，地質出版社，2006
第2篇
【關鍵詞】微生物；耐藥性；方法；展望
Microbial resistance and the prospect of solution
XieRong
【Abstract】 The microorganism drug resistance oneself threaten seriously humanity's health, is being helpful to the microorganism drug resistance member mechanism research to using the antibiotic, the control bears a medicine infection reasonably. This article has analyzed the acquired character drug resistance mechanism, has carried on the forecast to the microorganism drug resistance solution and to the prospects for development.
【Key words】 Microorganism: Drug resistance; Forecasts
【中圖分類號】R725【文獻標識碼】A【文章編號】1005-0515(2011)02-0230-02
目前，抗生素己成為我們治療感染性疾病不可或缺的藥物，研究和了解微生物耐藥性的分子機制，對于合理應用抗生素，延長抗生素的敏感期是現今亟待解決的問題。
1 微生物耐藥性的分子機制
1.1 天然不敏感性：有些微生物由于具有一些獨特的結構或代謝，天生對藥物不敏感。如支原體無細胞壁結構，對青霉素、頭孢菌素等β內酰胺類抗菌藥物天然不敏感；嗜麥芽寡養單孢菌對亞胺培南和氨曲南耐藥率為100％；常見革染氏陰性桿菌對氨芐青霉素耐藥率為100％。
1.2 獲得耐藥性：有些微生物對原來敏感的抗生素通過遺傳性的改變而獲得的抗藥性。
1.2.1 自發突變加藥物選擇：抗藥性的產生不是由于微生物與藥物接觸而產生，而是白發突變加上藥物選擇的結果。通常認為，抗藥菌所含的抗菌基因是由敏感菌的遺傳物質自發突變產生的，但一般自發突變的頻率極低，通常突變率在10~10～10~16?？股氐膹V泛使用導致耐藥菌株不斷被篩選出來，并廣泛傳播；濫用抗生素、預防性用藥，使誘導產超廣譜β-內酰胺酶的細菌增多。這種超廣譜β-內酰胺酶是由普通質粒介導的超廣譜β-內酰胺酶基因突變后所形成的。
1.2.2 細胞間抗藥性的基因轉移：獲得性耐藥也可通過耐藥基因轉移而形成，如某些敏感菌株在獲得耐藥基因后即轉變為耐藥菌株。
1.2.3 產生使抗生素結構改變的酶或滅活酶：隨著第三代頭孢類抗菌藥的大量應用導致大腸埃希菌、肺炎克雷伯菌中的TEM-1和SHV-1酶加快了突變，形成各種超廣譜β-內酰胺酶(ESBL)，介導了細菌對青霉素、頭孢菌素、單環菌素耐藥。感染凝固酶陰性葡萄球菌(CNS)耐藥性增高與產β-內酰胺酶和黏質有關，腸桿菌科和銅綠假單胞菌亦在內酰胺類抗生素作用下大量誘導頭孢菌素酶(AmpC)的產生，導致細菌對碳青酶稀類之外的所有β-內酰胺類抗生素耐藥。
1.2.4 抗生素作用靶位的修飾或改變：由于基因突變，一些細菌形成抗生素不能與結合的作用靶位，或者即使能與之結合形成復合體，但靶位仍能保持其功能，微生物就表現出抗藥性。胡原等研究中，凝固酶陰性葡萄球菌(MRS)的藥敏試驗顯示對所有的β-內酰胺類、頭孢菌素類、β-內酰胺／β-內酰胺酶抑制劑、氨基糖苷類、大環內酯類、四環素類及喹諾酮類抗菌藥物耐藥，呈現多重耐藥性，儀對萬古霉素、利福平及呋西地酸敏感。
1.2.5 細胞膜通透性降低或改變：由于細胞膜的通透性改變致使藥物進入細胞內減少，就使得微生物細胞表現出抗藥性。雖然大多數情況下，外膜孔蛋白缺失不是主要的耐藥機制，但它可降低細菌對抗生素的敏感性，在其它的耐藥機制存在的情況下，可明顯提高耐藥程度。多數β-內酰胺類抗生素外膜孔蛋白通透率較低，一旦外膜孔蛋白缺失或減少就會造成抗生素進入細菌細胞內的量大減，引起耐藥而氨基糖甙等尚有其它通道進入胞內，故受影響不大，所以外膜孔蛋白缺失造成的耐藥性主要與β-內酰胺類抗生素育關。
1.2.6 主動外排系統作用：以前對革蘭陰性桿菌具有較強抗菌活性的第三代頭孢菌素，現在對銅綠假單胞菌抗菌活性也越來越弱，這與銅綠假單胞菌耐藥機制較復雜有關等。
1.3 多重耐藥性：某一微生物可同時對兩種以上作用機制不同的藥物所產生的抗藥性。生原因很多，具多重耐藥性的菌株，可能含有兩個以上的抗藥質粒，或其抗藥質粒上可能含有多個抗藥基因。
1.4 交叉耐藥性：有些微生物對結構類似或作用機制類似的抗生素均有抗藥性的現象。對某一種抗生素，可能存在不同機制抗藥的菌株。當兩種抗生素作用于相同的位點時，常常出現交叉抗藥性。中樞神經系統感染最常見的G-菌為腸桿菌科細菌、不動桿菌屬和銅綠假單胞菌，對第三代頭孢菌素維持較高耐藥率，大腸埃希菌和克雷伯菌屬對第三代頭孢菌素耐藥，主要與產生超廣譜β-內酰胺酶有關。
1.5 賴藥性：一些由于基因突變而致的抗藥菌，不僅對該藥物具有抗性，而且需要該藥物作為特殊的營養因素。
1.6 耐受性：一些微生物對藥物抑菌作用的敏感性未改變，而對藥物的殺菌作用具有相對抗性，即M1C提高后，表現為抑菌，而不是殺菌。在革蘭陽性菌及陰性菌中均曾發現有耐受性菌株。
2 微生物耐藥性的前景展望
微生物耐藥性的產生是不可避免的，是生物長期的進化和優勝劣汰的結果。并且，耐藥性一旦產生，它將會保持下去，抗生素的繼續使用不僅為高耐藥菌株繼續提供選擇壓力，而且促進其復制、組構及共同享用耐藥基因。因此，我們要盡量從各種途徑來阻斷耐藥性的產生和傳播，如控制傳染、開發新抗生素、合理應用抗生素等有效措施來減緩它的發生。與此同時，為了最大程度取益于抗生素、最小程度推進其耐藥性，應對所用抗生素進行復試，能產生抗生素和其他生物活性物質的微生物的數量是無限的，微生物培養條件、化學、生物合成技術以及微生物學和遺傳學技術的發展，也為新抗生素的制備提供了無限廣闊的前景。我們研究微生物耐藥性的分子機制最終目的是要控制耐藥菌株感染，具體措施包括抗菌肽類藥物的開發、噬菌體的應用、新型抗生素研制開發、中草藥的應用研究等。在研究耐藥型和耐藥機制的基礎上，加強培訓、預防及監控措施，積極開展耐藥性克服的探索性研究及抗菌藥物合理使用與監管措施等。
3 結束語
抗生素的發現和應用造福了人類，但隨著時間的推移，微生物耐藥性對我們全人類的健康己造成了極大的威脅，研究其分子機制只是一個科學的手段，我們更應該隨時隨地隨處減少耐藥性的產生和傳播。
參考文獻
[1] 李明成.銅綠假單胞茵多重耐藥性分子機制的研究冊[J]北華大學學報2006，7(1)：31~36
[2] 龐杏林等.醫院感染凝固酶陰性葡萄球茵分布及耐藥性分析[J]中華醫院感染學雜志，2007，17(10)：1289~1291
第3篇
關鍵詞：微晶石；工藝；創新；缺陷；解決方法
1 引言
微晶石，學名微晶玻璃，是一種采用天然無機材料，運用高新技術經過高溫燒結的新型綠色環保高檔建筑裝飾材料。具有板面平整、色調均勻、紋理清晰、光澤柔和晶瑩、質地堅硬細膩、防污染、耐酸堿、綠色環保、無放射性毒害等優點。這些優良的理化性能都是天然石材所不可比擬的。
微晶石是在與花崗巖形成條件相似的高溫狀態下，通過特殊的工藝燒結而成。但又存在區別，花崗巖是一種由火山爆發的熔巖在受到相當的壓力的熔融狀態下隆起至地殼表層，巖漿不噴出地面，而在地底下慢慢冷卻凝固后形成的構造巖，是一種深層酸性火成巖，屬于巖漿巖。微晶石與花崗巖、大理石、鑄石性能的比較如表1所示。
微晶石具有較多的優點，它代表了未來建材發展的方向。但由于目前的技術有限，還存在很多的不足。因此，如何解決微晶石中的缺陷問題（硬度不夠、氣孔、變形等），是微晶石生產的關鍵所在。
2 微晶石的發展歷程
我國陶瓷經過近20多年的發展，生產規模已躍居世界第一。但縱觀這些年來的發展，只在拋光磚領域的生產與研發處于世界領先水平，而其它陶瓷產品限于國內的設計、材料、市場等因素，仍與發達國家有一定的差距。為促進行業的良性發展，加強行業交流，更好地推廣新技術、新材料、新工藝的應用，從2002年開始，很多企業都開始投入到微晶石的生產上。通過在技術上的不斷改進，目前已有很多企業成功生產出質量較高的微晶石。如今微晶石建筑材料已被譽為“21世紀的高檔裝飾材料”。
第一代微晶石生產于上個世紀90年代中后期，其優點為潔白如玉的外觀、美麗柔美的光澤、良好的硬度與耐磨性、較好的耐酸耐堿性。但也存在一些缺點，如：大量的氣孔、晶花單調等。
2003-2005年，第二代微晶石誕生，它具有變化萬千的結晶花紋，并且整個橫斷面基本上無氣孔。但硬度、耐化學腐蝕性比第一代差。
2005-2006年，第三代微晶石研究成功，相對來說，第三代微晶石的機械性能、耐化學腐蝕性能要更好；具有形狀各異的花紋，斷面基本無氣孔。但立體層次感不強，石材質感不佳。
2008-2009年，技術人員通過特殊的配方體系，控制晶體生長的紋路，成功獲得第四代的微晶石，它具有裝飾花紋奇特、立體層次感強、石材質感逼真、色調柔光似水，其藝術性較強。
2009至今，已有很多企業開發出第五代微晶石，它是把陶瓷坯體、大理石紋理、玻璃微晶小顆粒三者完美合一，使此款產品光澤度高，同時又兼具大理石的紋理和質感。在性能方面，它質地堅硬細膩、吸水率低、防污、耐酸堿、抗風化，不會因冷熱突變而裂開或扭曲變形，無放射性毒害，是目前最為安全的綠色環保型材料。同時，這些優良的特性是天然石材不可比擬的。
3 微晶石的生產工藝及其難點
3.1 微晶石的生產工藝
由圖1可以看出，微晶石是由陶瓷坯體和微晶雙層復合而成，微晶石的工藝流程大體一致，但一次燒工藝生產微晶石，在布料階段先進行底料布料；再進行面料布料；最后一次燒成。二次燒工藝是先經過坯體高溫素燒，后鋪上微晶玻璃熔塊，再通過高溫燒成。一次燒成工藝相對簡單、大大縮短生產時間。同時，在性能方面，二次燒的微晶石先經過坯體高溫素燒后再低溫釉燒，致使成品存在耐磨度低、硬度低、坯體與微晶結合不理想等缺陷。為了解決這些問題，技術人員經過長期的研究，目前采用一次燒成技術，致使磚坯、花紋、微晶玻璃層一次成形，大大提高了原材料與微晶的結合度，微晶石硬度更高（莫氏硬度達到6級）、更環保更耐磨。
3.2 微晶石一次燒成技術的難點
原材料和晶體一次結合達到一次燒成。具有非常大的技術難度，在試驗過程中，產品不斷出現大溶洞、波浪形、破裂等現象。為了獲得較好的產品，需解決一次燒成的技術難點主要有三方面，一是原材料基礎配方的確定；二是窯爐的燒成影響；第三是達到坯體與晶面熱膨脹的平衡。
同時，一次燒微晶石的布料過程與二次燒布料過程不同，首先進行底料布料，底料通過調節刮板使素燒磚坯上的底料均勻布上；然后進行面料布料，面料通過調節刮板使其料均勻布上，面料布在底料上；最后由壓模壓平，從而使布料致密度均勻，并更清晰看到玻璃料底下的圖案。
3.3 微晶石一次燒成的優勢
（1）更強的硬度、更高的熱穩定性
從兩次燒轉變為一次高溫燒成，使其在燒制過程中大大節省了能耗，節省量達50%以上。更低碳、更環保、高硬度、高耐磨度等指標的全面升級也使得微晶石的耗損率大大降低，真正做到全方位的環保節能新突破。
（2）更少的氣孔
二次燒微晶石表面有一定數量的針孔，一次燒微晶技術對原料的精細化要求極高，所選的都是優質高級坯釉料，結合精工設備及創新的燒制曲線，令磚體空氣排出更徹底。結構更致密，將磚體產生針孔、熔洞的機率降至最低。
（3）更好的質感
以高端的噴墨技術為依托，可以根據使用需要生產出豐富多彩的多種色調多個系列。色調均勻一致、紋理清晰雅致、光澤柔和晶瑩、色彩絢麗璀璨，而且質地堅硬細膩、不吸水防污染、耐酸堿抗風化、綠色環保、無放射性毒害。
4 微晶石產品的不足及解決方法
微晶石產品具有很多陶瓷磚、石材、拋光磚無可比擬的優點，但也存在不足。如：產品的硬度不夠、氣孔、變形等缺陷。
4.1 硬度
微晶石表面晶玉層莫氏硬度為5-6級，等級低于拋光磚的莫氏硬度6-7級。微晶石表面光澤度高，可以達到90%，如果遇劃痕會很容易顯現出來。微晶玻璃的硬度取決于晶相的品種、晶相的尺寸與數量、玻璃相的性質等要素。
從配方系統來說，可以開發新型的多元微晶玻璃配方體系，以得到含有新型硬質晶體的微晶玻璃。如采用CaO-Al2O3-SiO2系統，因為在硅灰石-鈣長石-石英低共熔點附近的鈣長石、硅灰石區域內，在析出β-硅灰石（莫氏硬度為5-5.5）晶體的同時，又能析出鈣長石（CaO·Al2O3·2SiO2）（莫氏硬度為6-6.5）晶體，微晶玻璃的硬度將獲得提高。還可以研制其它的硬質晶相，如鎂橄欖石（Mg2SiO4，莫氏硬度為6-7）、鎂鋁尖晶石（MgAl2O4，莫氏硬度≥9.0）、假藍寶石（Mg44l10Si2O23，莫氏硬度為9）。另外，還可以在配方中直接添加一定粒度高熔點、高硬度的材料，如：石英砂、鋯英石粉、莫來石粉等。
從鍵能與配位數角度來說，一般玻璃的莫氏硬度還取決于離子間的鍵能大小。如硅、硼、鋁離子價態高，與氧離子的距離小、吸引力大、場強度大、單鍵能大，使玻璃硬度變大。而堿金屬元素鉀、鈉等，原子價低，與氧離子的距離大、吸引力小、場強度小、單鍵能小，使玻璃硬度變低。堿土金屬元素介于這兩種之間。即離子電價越高，正負離子間距越小，則硬度越高。各氧化物組對玻璃的硬度提高的作用大致是：SiO2>B2O3>MgO>ZnO>BaO>Al2O3>Fe2O3>K2O>Na2O>PbO。另外，離子的配位數對晶體硬度影響很大，硬度隨著配位數的上升而提高。
4.2 氣孔
微晶石表面有一定數量的針孔，遇到臟東西很容易顯現，將直接影響到產品的質量。在實際生產中，氣泡產生的原因較多，本文主要從晶化過程、熔制過程、氣氛等方面進行研究。
（1）晶化過程對氣孔的影響
在晶化過程中，晶化溫度與晶化時間對氣孔的影響較大。隨著晶體的析出，玻璃粘度迅速增大，質點遷移受到限制，因此使晶化階段的氣孔更加難以排出。所以在微晶玻璃基礎成份選擇適當的同時，一定要準確制定和嚴格控制好晶化時間、晶化溫度。晶化溫度對氣孔的出現及體積的擴大有很大的影響，通過研究發現，每組成份的玻璃都有其最佳的晶化溫度范圍，在此范圍析出的晶體會不斷長大，同時不會影響氣體的變化。因此，需找到最佳的晶化溫度范圍。與此同時，晶化時間也一定要適當，否則將不利于產品的質量。
（2）熔制過程對氣孔的影響
在晶化過程中，還有部分的氣孔是沒法排除的。因此，在熔制過程中一定要嚴格控制好其熔制的質量。其中最為關鍵的因素就是澄清時間，如果澄清時問不夠，這些氣泡將永久的存在于晶化顆?；y的中部。在產品拋光后將成為氣孔。
（3）氣氛對氣孔的影響
在實際生產中，雜質是不可能避免的，如果燒成氣氛不合適，將會發生一系列的氧化還原反應，雜質與配方中的物質發生反應，生產大量的氣體，部分氣體被排除，但還有大量的氣體留在玻璃體內，形成較大的氣泡。因此，通過對氣氛的適當調節，可以有效地消除氣泡。
4.3 變形
微晶石產品變形的原因主要可以分為三大類，一是坯釉膨脹系數不匹配，由于釉與坯是緊密聯系在一起的，如果二者之間膨脹系數不一致，釉在冷卻固化后，釉層中便會有應力出現，會影響釉在坯體上的附著性能，導致產品變形；二是生產工藝控制不當，如果燒成曲線設置不合理，窯內氣流不穩定，坯釉化學成份波動較大等因素均會造成產品的變形；三是熔塊化學成份不均勻，熔塊化學成份偏差過大時易導致其熱膨脹系數不一致，產生內應力，導致其翹曲變形。如果坯釉的膨脹系數完全一致，嚴格控制好生產工藝，使原料混合均勻、高溫混熔均勻，其平面度完全可以控制在較理想的范圍之內，使微晶石產品的變形在最小程度。
