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    • 固體電子學研究與進展雜志

      主辦單位:南京電子器件研究所
      主管單位:中國電子科技集團公司

      固體電子學研究與進展雜志基本信息 統計源期刊

      《固體電子學研究與進展》由楊乃彬擔任主編,由南京電子器件研究所主辦的一本電子類統計源期刊。該刊創刊于1981年。主要刊登電子學科方面有創見的學術論文,介紹有特色的科研成果,探討有新意的學術觀點提供交流平臺,擴大國內外同行學術交流。本刊為雙月刊,A4開本,全年定價¥220.00元。歡迎廣大讀者訂閱或投稿。

      基本信息:
      ISSN:1000-3819
      CN:32-1110/TN
      期刊類別:電子
      郵發代號:--
      全年訂價:¥ 220.00
      出版信息:
      創刊時間:1981
      出版地區:江蘇
      出版周期:雙月刊
      出版語言:中文
      主編:楊乃彬
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      固體電子學研究與進展雜志介紹

      《固體電子學研究與進展》是一本由中國電子科技集團公司主管,南京電子器件研究所主辦的一本面向國內外公開發行的電子類期刊,該刊主要報道電子相關領域的研究成果與實踐。該刊已入選統計源期刊。 影響因子為0.43 《固體電子學研究與進展》主要內容欄目有三維集成射頻微系統(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學、硅微電子學、材料與工藝、研究簡訊。

      《固體電子學研究與進展》主要發文機構有:南京電子器件研究所(發文量925篇),該機構主要研究主題為“晶體管;電路;放大器;單片;GAAS”;東南大學(發文量317篇),該機構主要研究主題為“電路;半導體;放大器;晶體管;集成電路”;復旦大學(發文量231篇),該機構主要研究主題為“電路;功耗;集成電路;低功耗;半導體”。

      《固體電子學研究與進展》主要發文主題有電路、晶體管、半導體、放大器、集成電路、GAAS、砷化鎵、單片、場效應、二極管。其中又以”電路(444篇)”居于榜首,發文量第二的是“晶體管”(403篇),發文量第三的是“半導體”(305篇),發文主題最少的是“二極管”,僅發文141篇。

      固體電子學研究與進展影響力及榮譽

      固體電子學研究與進展投稿注意事項

      1、來稿要求:

      本刊歡迎下列來稿:電子及相關學科領域的研究方面的論著,反映國內外電子學術動態的述評、論著、綜述、講座、學術爭鳴的文稿,以及有指導意義的電子書刊評價等。文稿應具科學性、先進性、新穎性和實用性,內容翔實,簡明扼要,重點突出,文字數據務求準確,層次清楚,標點符號準確,圖表規范,書寫規范。本刊不接受已公開發表的文章,嚴禁一稿兩投。對于有涉嫌學術不端行為的稿件,編輯部將一律退稿,來稿確保不涉及保密、署名無爭議等,文責自負。

      2、作者簡介:

      述評、專家論壇、指南解讀欄目來稿請附第一作者及通信作者的個人簡介及近照。個人簡介內容包括職稱、職務、學術兼職、主要研究領域、主要研究成果、所獲重大榮譽獎項等,字數以 100~300 字為宜。近照以 2 寸免冠彩色證件照為宜,格式為“.jpg”,像素不得低于 300 dpi。

      3、文題:

      文題力求簡明、醒目,反映文稿主題,中文文題控制在 20 個漢字以內。題名中應避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號以及結構式和公式。有英文摘要者同時給出英文文題,中英文文題含義應一致。

      4、圖表:

      文中所有圖表均需為作者自行制作而非引用他人文獻中的圖表。圖表力求簡明,設計應科學,避免與正文重復。凡能用少量文字說明的數據資料盡量不用圖表。正文與表中數據應認真核對,準確無誤,表內數據同一指標的有效位數應一致。

      固體電子學研究與進展數據統計

      • 總發文量:1277
      • 總被引量:2651
      • 平均引文率:7.9426
      • H指數:13
      • 期刊他引率:0.837
      主要發文機構分析
      機構名稱 發文量 主要研究主題
      南京電子器件研究所 925 晶體管;電路;放大器;單片;GAAS
      東南大學 317 電路;半導體;放大器;晶體管;集成電路
      復旦大學 231 電路;功耗;集成電路;低功耗;半導體
      中國科學院 148 晶體管;半導體;分子束;分子束外延;異質結
      西安電子科技大學 116 半導體;電路;金屬氧化物半導體;晶體管;碳化硅
      浙江大學 77 電路;半導體;芯片;金屬氧化物半導體;低功耗
      清華大學 70 電路;集成電路;計算機;半導體;GAAS
      天津大學 69 隧穿;電路;晶體管;共振隧穿;負阻
      南京大學 68 發光;半導體;納米;氮化鎵;GAN
      中國科學院微電子研究所 68 電路;低噪;低噪聲;晶體管;CMOS
      主要資助項目分析
      資助項目 涉及文獻
      國家自然科學基金 823
      國家高技術研究發展計劃 147
      國家重點基礎研究發展計劃 113
      江蘇省自然科學基金 68
      中央高校基本科研業務費專項資金 50
      國家科技重大專項 47
      國家教育部博士點基金 44
      福建省自然科學基金 26
      國家重點實驗室開放基金 24
      河北省自然科學基金 24
      年度被引次數報告
      年度參考文獻報告

      固體電子學研究與進展文章摘錄

      • 12kV 4H-SiC N溝道IGBT的設計與實現 作者:楊同同; 陶永洪; 楊曉磊; 黃潤華; 柏松
      • GaN功率器件芯片級熱管理技術研究進展 作者:郭懷新; 孔月嬋; 韓平; 陳堂勝
      • 低功耗寬頻頻率源設計 作者:李旺; 陳文宣; 唐俊
      • SiN鈍化層對GaAs pHEMT低噪聲放大器芯片耐氫效應能力的影響 作者:賈東銘; 張磊; 彭龍新; 林罡; 鄒雷
      • 非自治振蕩電路的功率平衡 作者:黃炳華; 周珊; 林曉東
      • 77GHz車載防撞雷達新型天線陣設計 作者:金良; 葛俊祥
      • 一種新型超寬帶天線設計與實現 作者:何愷; 葛俊祥
      • 新型寬帶差分帶通濾波器 作者:張吉曜; 張友俊; 韓德志
      • 基于CsPbBr3量子點與C8-BTBT復合薄膜光學穩定性的研究 作者:張春雨; 黃玲玲; 李博; 胡鵬; 陳幸福; 王向華; 胡俊濤
      • 一種用于升壓型DC-DC變換器的新型軟啟動電路 作者:付賢松; 張明哲
      固體電子學研究與進展雜志

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