測器驅(qū)動電路設(shè)計(jì)論文范文
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1.1探測器輸出信號阻抗匹配設(shè)計(jì)探測器輸出模擬信號的典型負(fù)載要求為:R≥100kΩ，C≤10pF。在設(shè)計(jì)時，選取的運(yùn)放(AD843)輸入阻抗可達(dá)1010Ω，輸入電容為6pF，可滿足探測器的負(fù)載要求，設(shè)計(jì)如圖4所示。
1.2中心電平平移及差分傳輸設(shè)計(jì)探測器輸出信號動態(tài)范圍為1.7～4.2V，中心電平為2.95V，而A/D芯片對輸入信號中心電平的要求為0V。為了滿足A/D芯片對輸入信號的要求，在驅(qū)動電路上對探測器輸出信號進(jìn)行中心電平平移。紅外信號屬于小信號，易受到復(fù)雜的空間干擾影響，這種影響對于單端信號影響較大。當(dāng)采用差分電路設(shè)計(jì)時，正負(fù)兩路信號會受到相同的影響，但其差值ΔU=V+－V－變化較小，可減弱這種影響，因此采用差分傳輸設(shè)計(jì)，如圖5所示。2.3低噪聲設(shè)計(jì)與改進(jìn)為了對設(shè)計(jì)的電路性能進(jìn)行評估，使用數(shù)據(jù)采集軟件采集探測器輸出的信號并通過MATLAB對其進(jìn)行分析。探測器驅(qū)動電路與系統(tǒng)聯(lián)調(diào)，采集35℃時黑體數(shù)據(jù)并分析，發(fā)現(xiàn)約有15個DN值波動(幅值為7.3mV)，如圖6所示。此時系統(tǒng)數(shù)字噪聲均方根為2.7mV，NETD為65mK。為了降低噪聲，在探測器驅(qū)動電路的供電入口、信號傳輸?shù)年P(guān)鍵路徑等位置加上濾波措施(如大容量鉭電容等)。重新采集圖像數(shù)據(jù)并分析，測得此時DN值波動約7個(幅值為3.4mV)，如圖7所示。此時系統(tǒng)數(shù)字噪聲均方根為1.4mV，NETD為34mK。
2空間環(huán)境適應(yīng)性設(shè)計(jì)
2.1降額設(shè)計(jì)降額是使元器件使用中的應(yīng)力低于其額定值，以達(dá)到延緩參數(shù)退化，提高使用可靠性的目的。探測器驅(qū)動電路工作于空間環(huán)境中，為了保證其安全性和可靠性，在設(shè)計(jì)過程中對元器件的參數(shù)進(jìn)行了降額設(shè)計(jì)，如表1所示。
2.2抗單粒子鎖定設(shè)計(jì)探測器驅(qū)動電路工作于空間環(huán)境中，CMOS器件中的晶體管結(jié)構(gòu)很容易受到空間高能粒子沖擊，進(jìn)而引發(fā)單粒子鎖定效應(yīng)(SEL)［3］。發(fā)生SEL后，CMOS器件鎖定區(qū)的電流將會大幅度增加，形成SEL異常大電流［4］，進(jìn)而影響電路的正常工作。為了防止SEL的發(fā)生，在電路設(shè)計(jì)時采取以下措施:a)運(yùn)放芯片(AD8138/AD843)的供電端串聯(lián)限流電阻;b)選用具有輸出限流功能的MSK系列LDO芯片;c)選用抗輻照器件;通過降額設(shè)計(jì)與抗單粒子鎖定設(shè)計(jì)，保證了驅(qū)動電路工作的可靠性和空間環(huán)境適應(yīng)性。
3性能檢測
保持相同的光學(xué)、擺鏡和數(shù)據(jù)采集設(shè)備，分別使用本文設(shè)計(jì)的探測器驅(qū)動電路和某型探測器驅(qū)動電路采集黑體圖像數(shù)據(jù)并分析，結(jié)果如表2所示。通過表2可知，在國產(chǎn)探測器均勻性、一致性與進(jìn)口探測器有一定差距的情況下，通過改進(jìn)探測器驅(qū)動電路，最終在性能指標(biāo)上趕超了某型探測器驅(qū)動電路。證明該方案設(shè)計(jì)實(shí)用、有效。通過與系統(tǒng)聯(lián)調(diào)，該探測器驅(qū)動電路工作穩(wěn)定、可靠，可滿足空間要求。
4總結(jié)
本文設(shè)計(jì)的探測器驅(qū)動電路，以空間應(yīng)用為出發(fā)點(diǎn)，在滿足性能指標(biāo)的要求下，考慮了電路的空間環(huán)境適應(yīng)性。通過與系統(tǒng)聯(lián)調(diào)，證明該設(shè)計(jì)穩(wěn)定、可靠，滿足空間使用需求。
作者：張鈺鄧希寧高旭輝單位：華北光電技術(shù)研究所