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      磁屏蔽理論范文

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      磁屏蔽理論

      1、在低頻(DC到100KHz)磁屏蔽中,設計低成本屏蔽體的最關鍵因素是對磁屏蔽的透徹理解。其目的是要達到減少所規定的磁場,這樣使其對所屏蔽的器件或系統不形成威脅。一旦這一目標被確定,就應考慮會影響到屏蔽體的低成本設計的一些基本設計因素。這些包括:材料的選擇、主要設計參數和加工工藝。

      2、材料的選擇

      對于屏蔽體來說,所選擇的材料的類型對其性能和成本影響極大。在設計屏蔽體時有一點是重要的,就是要深入了解普通使用的不同屏蔽合金的特性。對這些不同性能的理解就可使你選擇合適的材料,去滿足目標要求。

      磁屏蔽材料要根據各自的特性進行選擇,特別是磁導率和磁飽和性能。由于在變更低頻磁場方向的效能,所以高磁導率材料(比如含80%的鎳合金Mumetal,這是一種高磁導率鐵鎳合金)是經常使用的屏蔽材料。這些合金可滿足MIL-N-14411C部分1和ASTMA753-97樣式4的要求。其可得到的相對較薄的厚度為0.002到0.125英寸,并極易被有經驗的屏蔽加工者加工出來。

      在需要于極小空間內降低磁場時,典型上使用這些合金。在需要提供比要求更高屏蔽時,或是磁場強度(在較高場強時更為典型)需要具有更高飽和值材料時,這些材料常被選中。

      在屏蔽目標僅需要稍微減少場強時(減少1~1/4),或是當場強足以使高磁導率屏蔽體飽和時,超低碳鋼(ULCS)可能是最佳的選擇。這些較低成本材料的碳含量典型小于0.01%;與其它鋼相比,其有較高的磁導率和極優的飽和性能。這些材料具有較小的柔韌性,并比硅鋼較容易制造,這就允許在大面積屏蔽項目中容易安裝和以同樣的方式加工出小型組件。ULCS可與高磁導率材料一起使用,以為需要高飽和保護和高衰減等級建立最佳的屏蔽體。

      對于低溫用的屏蔽體,Cryoperm10(為德國VaccumschmelzeGmbHg公司的注冊商標)為一種最佳選擇。與Mumetal一樣,Cryoperm10也是一種高磁導率鎳鐵合金,它是經特殊加工而成的,以提供在降低溫度時磁導率增加。標準的屏蔽合金(比如Mumetal)在低溫時就失去了其大部分磁導率。但是Cryoperm10可在77.3到4.2°K時的磁導率卻增加10倍。表1示出了最常用的屏蔽材料的磁導率飽和值的比較。

      由于材料的成本占屏蔽體價格的一半,所以使用較薄的尺寸能滿足所要求的屏蔽特性和結構性能是最好了。厚度為0.002到0.010英寸的箔材是最低成本的選擇。這些箔材能以同等的化學組分和性能特性獲得,并可作為標準的以鎳為基礎的和ULCS材料。

      設計低成本屏蔽體的最重要的一步,就是對這些典型屏蔽材料特性及其對屏蔽性能影響的了解。一旦合適的材料被選中,其重點要集中于基本的設計考慮,以使其不但性能最佳,而且對成本的影響最小。

      3、設計考慮

      大部分屏蔽體用的公式和模型的開發是基于圓形或無限長的圓柱體幾何形狀的。在實際應用中,所給定屏蔽體的實踐形狀由器件結構和屏蔽體自身的可利用空間所決定。在設計一屏蔽體時,要了解的重要的結構是,要使磁力線旋轉90°是困難的。但是,圓形屏蔽體,比如要改變圓柱體或是具有圓形角的盒體的磁力線的方向要比具有方形角的屏蔽體容易一些。類似地,對于包容已進入屏蔽材料的磁力線并改變其方向,圓角要比尖角好一些。保持可提供低磁阻路徑的屏蔽體形狀簡單或磁場運動的"最低磁阻路徑"是很重要的。

      屏蔽體的尺寸在屏蔽效率和成本方面的重要性極大。屏蔽體的有效半徑越小,其整體性能就越好。但是,設計屏蔽體的目的是使其包絡試圖屏蔽的組件和空間,并應該靠得很近。由于材料占屏蔽體設計的大部分成本,因此較小屏蔽體就可以在較低成本下獲得較優的性能。

      每當有可能,屏蔽體應與所有壁靠近,以避免場泄漏。這種結構(即使是矩形)也是最接近于圓形的,它可以建立一個半閉合的磁路。另外,全部箱體可在所有軸上獲得屏蔽特性,這樣就可以保證最好的屏蔽性能。當特殊的性能和進出口需要時,可移動的蓋板、罩和門均可組合到屏蔽體設計中去。

      摘要:在低頻(DC到100KHz)磁屏蔽中,設計低成本屏蔽體的最關鍵因素是對磁屏蔽的透徹理解。其目的是要達到減少所規定的磁場,這樣使其對所屏蔽的器件或系統不形成威脅。一旦這一目標被確定,就應考慮會影響到屏蔽體的低成本設計的一些基本設計因素。這些包括:材料的選擇、主要設計參數和加工工藝……

      關鍵詞:電磁屏蔽材料選擇設計生產技術

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